2022-2028年中国网络存储设备市场发展现状与市场需求预测报告
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智研数据研究中心 = 32534;制
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《2022-2028年中国网络存储设备市场发展现状与市场需求预测报告》信息及时,资料详= 23454;,指导性强,具有?= 20;家,独到,独特的优= 势。旨在帮助客户掌= 5569;区域经济趋势,获?= 1;优质客户信息,准确&= #12289;全面、迅速了解目= 069;行业发展动向,从而= ;提升工作效率和效果= 65292;是把握企业战略发ì= 37;定位不可或缺的重要= 决策依据。
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报= ;告说明、目录及图表= 30446;录详见第二部分。
分类
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存储原理
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是否需要刷新
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集成度
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功耗
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成本
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送行列地址
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速度
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应用
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DRAM
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电容
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是
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高
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低
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低
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分两次
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慢
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智能手机,计算机,服务器内存
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SRAM
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触发器
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否
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低
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高
|
高
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同时
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快
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CPU的一级缓存,二级缓存(L1/L2Cache)
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1
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工作过程中只能读出数据,不能随时改写;
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2
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断电后数据依然保存。因其容量小,读取方便,多用作代码保存。ROM之后发展出快闪存储器FlashROM,结合ROM和RAM长处,即具备电子可编程可擦写性能,又可以快速读取数据且断电后数据不会丢失,但由于不能像RAM那样以字节为单位改写数据,目前还不能取代RAM。
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-
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SLC
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MLC
|
TLC
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每单位存储比特
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1
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2
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3
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可擦写次数
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100,000
|
3,000
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1,000
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读取速度
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25μs
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50μs
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~75μs
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写入速度
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200-300μs
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600-900μs
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~900-1350μs
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擦除速度
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1.5-2ms
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3ms
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4.5ms
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价格
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最高
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较高
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低
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报?= 8;详细访问地址://www.compuke.net/b/diannao/F29847C74V.html